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机译:1.3μm光纤带中单个InAs / InP量子点的非经典光子发射
Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0197, Japan;
InAs/InP; single quantum dots; photon antibunching; single photon emission; O-band;
机译:InAs / InP量子点在1.55μm光纤带中产生单光子
机译:带有分子束外延的InP上生长的InAs量子点在电信带中的单光子发射
机译:带有分子束外延的InP上生长的InAs量子点在电信带中的单光子发射
机译:电信C波段InAs量子点发出的单光子和偏振纠缠的光子发射
机译:片上可集成的单量子点的单光子发射特性:朝向可伸缩量子光学电路
机译:低密度种子量子点上成核的单个InAs量子点的电信波带单光子发射
机译:高纯度在电信C波段窗口周围触发来自对称单inAs / InP量子点的单光子发射
机译:限制Inas量子点和光子的单电子自旋之间量子纠缠的证明。