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机译:GaInNAs / GaAsP应变补偿量子阱的光致发光和激光发射特性
Microsystem Research Center, Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan;
GaInNAs; strain compensation; semiconductor laser; VCSEL;
机译:用于1.3μm激光器的应变补偿GaInNAs / GaAsP量子阱的生长
机译:具有GaAsP应变补偿层的高应变InGaAsN / GaAs量子阱(λ= 1.28-1.45μm)的随温度变化的光致发光
机译:GaInNAs中间层,用于改善GaInNAs量子阱激光器的激光特性
机译:1.3 / spl mu / m GaInNAs / GaAsP / GaAs应变补偿量子阱的光致发光和激光发射特性
机译:GaAs(100)上应变InAs岛量子盒的分子束外延生长:生长动力学,垂直自组织和激光特性
机译:ZnS钝化CdSe / CdS量子点的光学特性可实现高光稳定性和激光发射
机译:高性能应变补偿InGaas-Gaasp-Gaas(λ=1.17μm)量子阱二极管激光器
机译:Inp衬底上Inas量子点激光的激光特性