机译:AlN /蓝宝石模板上生长的高质量AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管的直流特性
Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan;
AlGaN/AlN/GaN; HEMT; recessed ohmic; AlN/sapphire template;
机译:通过金属有机气相外延生长在直径为100 mm的外延AlN /蓝宝石模板上的高电子迁移率AlGaN / AlN / GaN异质结构
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:蓝宝石的AlN / SiC模板上生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的比较
机译:通过MOVPE在直径为100 mm的外延AlN /蓝宝石模板上生长的高性能AlGaN / AlN / GaN HEMT
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:AlN /蓝宝石模板上的薄沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的高横向击穿电压
机译:在ALN / Sapphire模板上的薄通道AlGaN / GaN高电子移动晶体管中的高横向击穿电压