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【2h】

High Lateral Breakdown Voltage in Thin Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on AlN/Sapphire Templates

机译：在ALN / Sapphire模板上的薄通道AlGaN / GaN高电子移动晶体管中的高横向击穿电压

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Idriss Abid; Riad Kabouche; Catherine Bougerol; Julien Pernot; Cedric Masante; Remi Comyn; Yvon Cordier; Farid Medjdoub;
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年度 2019
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