机译:短通道双栅绝缘体上金属氧化物半导体场效应晶体管改善截止频率的静态和动态性能分析
Microwave Laboratory-EMIC, Universite catholique de Louvain, Place du Levant 3, Maxwell Building, B-1348 Louvain-la-Neuve, Belgium;
double-gate MOSFET; single-gate MOSFET; volume inversion; drain current enhancement; transconductance; intrinsic gate capacitance; cutoff frequency; current gain;
机译:独立双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的量子约束和短沟道效应的仿真分析
机译:具有隧道二极管主体接触结构的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管的超低温射频性能
机译:图案布局对绝缘体上硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管射频性能影响的实验研究
机译:双栅扩展源极隧穿场效应晶体管的射频和稳定性能分析
机译:界面,静态和动态障碍在高性能有机场效应晶体管中的作用
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:使用超薄绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中的外延NiSi2晶化精确控制结位置
机译:在刚性和柔性基板上的自对准,极高频III-V金属氧化物半导体场效应晶体管。