...
机译:通过后沉积N_2O等离子体处理改善具有HfO_2栅叠层的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的电特性
Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan 300, R.O.C.;
HfO_2; N_2O; plasma treatment; charge pumping; bulk trap; interface states;
机译:用电荷泵技术在带有HfO_2 /金属栅叠层的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的高压区中测量的额外陷阱的研究
机译:远程等离子体技术形成Hfo_2 / SiO_2 / Si和Hfo_2 / SiO_xN_y / Si叠层结构的金属氧化物半导体场效应晶体管的特性
机译:氢参与对远程沉积N_2,N_2 / H_2和NH_3等离子体处理后HfO_2栅极电介质电学特性改善的影响
机译:双重等离子体处理改善HfO_2 MIS电容器的电气特性
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)