机译:GaN和InGaN的晶格常数对npn型GaN / InGaN异质结双极晶体管的影响
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
HBT; GaN; p-InGaN; MOVPE; sapphire; SiC; strain; lattice constant;
机译:用于Npn型GaN / InGaN异质结双极晶体管的p-InGaN的非本征基极生长
机译:npn型GaN / InGaN异质结双极型发光晶体管的直流和交流特性的数值模拟
机译:npn型AlGaN / InGaN / GaN异质结双极晶体管的高击穿电场
机译:用于NPN型AlGaN / Ingan / GaN异质结双极晶体管的高击穿电场
机译:GaN基异质结双极晶体管的探索。
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:GaN / InGaN / GaN中的偏振诱导齐纳隧道二极管 异质结
机译:用于大功率开关应用的siC双极晶体管和GaN异质结双极晶体管的探索性开发。