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机译:HfO_2栅介质的高温后沉积退火氟注入特性
Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, 259 Wen-Hwa 1st Rd., Kueishan, Taoyuan, Taiwan;
HfO_2; fluorine implantation; thermal stability;
机译:沉积后退火对HfO_2和ZrO_2栅极电介质结晶和电学特性的影响
机译:沉积后退火对HfO_2 / ln_(0.53)Ga_(0.47)As栅堆叠的费米能级响应的影响
机译:具有变化的Si界面钝化层和沉积后退火条件的InGaAs衬底上的金属栅HfO_2金属氧化物半导体结构
机译:高温H_2 / O_2退火对HfO_2栅介质电性能的影响。
机译:砷化镓晶体生长中缺陷,杂质和载体的特征及其对电性能,热稳定性和注入退火特性的影响。
机译:Pb(Zn1 / 3Nb2 / 3)0.91Ti0.09O3单晶的开关特性和高温介电弛豫行为
机译:氟等离子体和氨退火对以HFTiO为栅介质的并五苯薄膜晶体管的影响