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机译:500℃分子束外延生长过程中GaAs(001)InAs湿润层形成的原位扫描隧道显微镜观察
Department of Materials Science and Technology, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan;
in situ; molecular beam epitaxy; InAs; GaAs; scanning tunneling microscope; wetting layer; quantum dots; RHEED;
机译:GaAs(001)分子束外延生长过程中InAs量子点的原位扫描隧道显微镜
机译:截面扫描隧道显微镜观察分子束外延生长CuPt-B型有序GaAsSb层中的原子排列
机译:生长温度对分子束外延生长在(113)A GaAs上InAs润湿层的影响
机译:GaAs(001)分子束外延生长过程中InAs量子点的原位扫描隧道显微镜观察
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:GaAs 111 B上Si掺杂InAs纳米线分子束外延生长过程中的合金形成
机译:在高频应用中,在成核量子点阈值以下和附近的InAs层厚度下,调制掺杂N-AlGaAs /(InAs / GaAs)/ GaAs超晶格的分子束外延