机译:使用U形加热器(PCM-U)在相变存储设备中减少写电流
IT Convergence and Components Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Gajeong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-700, Korea;
phase change memory (PCM); PRAM; writing current; heater; non-volatile;
机译:带有自对准氧化TiWO
机译:使用自对准氧化TiWO_x加热器降低编程的电流密度以降低高限相变存储器
机译:通过在GeSbTe膜中进行碳掺杂来减少相变存储器件中的RESET电流
机译:相变存储器写电流减少和高密度应用的一些解决方案
机译:相变存储器设备中的瞬态相位变化效果
机译:重新定义AgInSbTe器件的时间分辨陡峭阈值切换动力学揭示的相变存储器的速度极限
机译:通过增强的不对称感应热电效应在垂直纳米柱相变存储单元中减少编程电流
机译:相变存储器件用纳米结构电极的热性质