机译:横向外延生长的a平面GaN上制备的非极性发光二极管的结构和电致发光特性
Electrical and Computer Engineering Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.;
nonpolar; nitrides; light-emitting diodes; structural; electroluminescence; Ⅴ-defects;
机译:缺陷侧向外延生长的a面GaN上具有驱动电流独立电致发光发射峰的非极性InGaN / GaN发射极
机译:在横向外延生长的a面GaN上生长的非极性a面InGaN / GaN多量子阱的性质
机译:利用沟槽外延横向过生长技术的紫外非极性InGaN / GaN发光二极管的特性
机译:利用沟槽外延横向过生长技术的紫外非极性InGaN / GaN发光二极管的特性
机译:基于非极性和半极性氮化镓取向的白色发光二极管。
机译:R平面蓝宝石上外延横向过生长非极性a平面GaN的空间分辨和依赖于方向的拉曼映射
机译:在蓝宝石上横向上外延长度的in IngaN多量子孔激光二极管的改进特征
机译:金属有机化学气相沉积法横向外延生长的GaN非平面衬底的三维微观结构表征