机译:在横向外延生长的a面GaN上生长的非极性a面InGaN / GaN多量子阱的性质
ECE and Materials Departments, University of California-Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106;
机译:在无掩模横向外延生长的a面GaN上生长的a面InGaN多量子阱的表征
机译:缺陷侧向外延生长的a面GaN上具有驱动电流独立电致发光发射峰的非极性InGaN / GaN发射极
机译:钛氧化物纳米粒子旋涂在r面蓝宝石衬底上:对非极性a面GaN和InGaN / GaN多量子阱的结构和光学性质的影响
机译:在外延横向过生长的半极性(11-22)GaN上生长的InGaN / GaN量子阱的光学增强
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:纳米棒侧向过生长模板上生长的a面InGaN / GaN多量子阱的光学特性