机译:具有绝缘栅的InP / InGaAs热电子晶体管
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
hot electron transistor; electron-beam lithography; insulated gate; InP/InGaAs;
机译:InGaAs变质高电子迁移率晶体管与InGaAs / InP复合沟道变质高电子迁移率晶体管的击穿特性比较研究
机译:通过金属有机化学气相沉积技术实现的1.0μm栅长InP基InGaAs高电子迁移率晶体管
机译:0.3- / spl mu / m栅极长度增强模式InAlAs / InGaAs / InP高电子迁移率晶体管
机译:由绝缘栅极控制的INP / INGAAS热电子晶体管的电压增益增加
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有溅射介电层的高性能包裹栅InGaAs纳米线场效应晶体管
机译:CCl4掺杂的半绝缘Inp作为GaInas / Inp高电子迁移率晶体管中的缓冲层
机译:用于20 GHz应用的Inp和InGaas亚微米栅极微波功率晶体管