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机译:使用同时的AlN /α-Si_3N_4缓冲结构在Si(111)上生长GaN
GaN; Si(111) substrate; AlN; α-Si_3N_4; rf-MBE;
机译:氮化Si(111)以生长2H-AlN(0 0 01)/β-Si_3N_4/ Si(111)结构
机译:在Si(111)上的GaN / AlGaN高电子迁移晶体管结构中的缓冲液中形成的凹坑的影响
机译:原位钝化与GaN缓冲优化相结合,可在Si(111)上的Si_3N_4 / AlGaN / GaN HEMT器件中实现极低的电流分散和极低的栅极泄漏
机译:使用AlN /α-Si_3N_4缓冲结构在Si(111)上生长和表征GaN
机译:使用各种缓冲层在硅(111)晶圆上生长和表征氮化铝镓/氮化镓异质结构。
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:用Al预播种AlN缓冲液在SiC / Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的生长和表征
机译:Zincblende GaN和GaN / alN结构的mBE生长和表征