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机译:使用透明虚拟栅极和应力衬里的金属氧化物半导体场效应晶体管的应变感应研究
School of Science and Technology, Meiji University, 1-1-1 Higashimita, Tama-ku, Kawasaki 214-8571, Japan Research Fellow of the Japan Society for the Promotion of Science, 8 Ichiban-cho, Chiyoda, Tokyo 102-8472, Japan;
School of Science and Technology, Meiji University, 1-1-1 Higashimita, Tama-ku, Kawasaki 214-8571, Japan;
School of Science and Technology, Meiji University, 1-1-1 Higashimita, Tama-ku, Kawasaki 214-8571, Japan;
School of Science and Technology, Meiji University, 1-1-1 Higashimita, Tama-ku, Kawasaki 214-8571, Japan;
Tokyo Electron AT, SPA Development Engineering Department, 1-8 Fuso-cho, Amagasaki, Hyogo 660-0891, Japan;
Tokyo Electron AT, SPA Development Engineering Department, 1-8 Fuso-cho, Amagasaki, Hyogo 660-0891, Japan;
Tokyo Electron AT, SPA Development Engineering Department, 1-8 Fuso-cho, Amagasaki, Hyogo 660-0891, Japan;
School of Science and Technology, Meiji University, 1-1-1 Higashimita, Tama-ku, Kawasaki 214-8571, Japan;
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:动态应力对在互补金属氧化物半导体逆变器中在高温下工作的带有SiON栅极电介质的纳米级n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性的影响
机译:SiGe合金与接触刻蚀停止层应力集成在一起的纳米级Si P型金属氧化物半导体场效应晶体管器件的应变工程
机译:分离栅介电调制金属氧化物半导体场效应晶体管作为生物传感器的分析模型
机译:常规金属氧化物半导体场效应晶体管的离子液体模数研究
机译:全方位栅InAs纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中的高度栅可调Rashba自旋轨道相互作用
机译:氧化ha门控锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低温迁移率
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)