机译:体微缺陷和金属杂质对硅中p-n结泄漏电流的影响
EPI Business Unit, Siltron Inc., Gumi, Gyeongbuk 730-340, Korea;
R&D Division, Hynix Semiconductor Inc., Icheon, Kyoungkido 467-701, Korea Advanced Semiconductor Material and Devices Development Center, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;
EPI Business Unit, Siltron Inc., Gumi, Gyeongbuk 730-340, Korea;
Advanced Semiconductor Material and Devices Development Center, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;
EPI Business Unit, Siltron Inc., Gumi, Gyeongbuk 730-340, Korea;
机译:门控二极管研究高能中子辐照硅p-n结中的拐角和周边泄漏电流
机译:硅中空位 - 杂质复合物对P-N结电流 - 电压特性的影响
机译:高k电介质和p-n结中等离子体充电损伤及其对金属氧化物半导体场效应晶体管的关态漏电流影响的比较研究
机译:P-N {SUP} +结具有散装微缺陷密度的结漏电流的特性
机译:存在深杂质时的结操作(P-N结,金)
机译:基于低温浅磷掺杂的径向p-n结硅纳米线太阳能电池的实现
机译:硅p-n结二极管中与自旋有关的电流
机译:外延硅中形成的p-n结中的硫杂质的电致发光。