机译:硅中空位 - 杂质复合物对P-N结电流 - 电压特性的影响
Institute of Nanotechnology of Microelectronics of the Russian Academy of Sciences (INME RAS) Leninskiy prospect 32A Moscow 119991 Russia;
Institute of Nanotechnology of Microelectronics of the Russian Academy of Sciences (INME RAS) Leninskiy prospect 32A Moscow 119991 Russia;
National Research University of Electronic Technology (MIET) Zelenograd Moscow 124498 Russia;
Institute of Nanotechnology of Microelectronics of the Russian Academy of Sciences (INME RAS) Leninskiy prospect 32A Moscow 119991 Russia;
机译:PN结电流-电压特性的统一模型
机译:PN结电流-电压特性的统一模型
机译:类似于无机p-n同质结的有机材料的电流-电压特性
机译:p-n结的电流电压特性:问题和解决方案
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:基于低温浅磷掺杂的径向p-n结硅纳米线太阳能电池的实现
机译:p-N结电流 - 电压特性的统一模型
机译:一种预测p-N结的正向电压特性的理论