机译:用于非易失性存储器操作的独立双栅极多晶硅纳米线薄膜晶体管的研究
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan 300, R.O.C.;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan 300, R.O.C.;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan 300, R.O.C.;
机译:具有氧化物/氮化物/氧化物栅极电介质的三栅极纳米线多晶硅薄膜晶体管非易失性存储器的两位效应
机译:具有纳米线沟道的非易失性Si / SiO_2 / SiN / SiO_2 / Si型多晶硅薄膜晶体管存储器,用于改善擦除特性
机译:具有氧化物/氮化物/氧化物堆叠栅极电介质和纳米线通道的非易失性多晶硅薄膜晶体管存储器
机译:具有独立双栅极配置的多晶硅纳米线FET及其非易失性存储器应用中性能增强的研究
机译:薄膜晶体管应用的多晶硅/电介质/衬底材料系统:材料特性对晶体管性能和可靠性的影响。
机译:基于多晶硅薄膜晶体管的有源像素成像阵列噪声性能的理论研究
机译:具有纳米线沟道的非易失性Si / SiO2 / SiN / SiO2 / Si型多晶硅薄膜晶体管存储器,用于改善擦除特性