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机译:La_2O_3-和Al_2O_3-封端的HfO_2介电金属氧化物半导体场效应晶体管在(110)取向硅衬底上制备的特性
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机译:改进分裂电容电压法提取(100)取向绝缘体上硅衬底上的硅栅-AII- [100]-和[110]-定向纳米线金属氧化物-半导体场效应晶体管中的电子迁移率
机译:电子迁移受具有高k栅极电介质的薄(100)和(110)取向的薄(100)和(110)取向的硅体双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移的限制。
机译:(100)和(110)硅衬底之间的晶体取向差异对高k /金属栅金属氧化物半导体场效应晶体管特性的内在影响
机译:温度对散射机制的作用限制了在(110)硅取向晶片上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子迁移率
机译:薄膜晶体管应用的多晶硅/电介质/衬底材料系统:材料特性对晶体管性能和可靠性的影响。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:(111)取向的硅金属氧化物半导体场效应晶体管中谷轨道电流的光激发
机译:采用自对准硅化物技术制作的金属氧化物半导体场效应晶体管