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机译:通过SiH_4预处理改善SiC(111)/ Si(111)上外延石墨烯的薄膜质量
RIEC, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan;
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RIEC, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan JST/CREST, Chiyoda, Tokyo 107-0075, Japan;
机译:通过氢气蚀刻3C-SiC(111)薄膜在Si(111)上的高质量外延石墨烯
机译:C_2H_2对Si(111)的表面碳化作用以及随后的SiH_4和C_2H_2外延生长的SiC(111)
机译:通过在3C-SiC / Si(111)衬底上通过脉冲偏置增强形核和外延晶粒选择合成的高取向金刚石(111)膜
机译:Si(111)上生长的高质量单晶3C-SiC(111)膜
机译:银(001)和银(111)上超薄外延铬和氧化铁膜的生长和结构:通过X射线光电子衍射和低能电子衍射完成的综合研究。
机译:立方SiC(111)∕ Si(111)衬底上的外延石墨烯
机译:立方SiC“ 111 ... / Si” 111 ...衬底上的外延石墨烯