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机译:Au纳米点对ZrO_2电阻开关存储器件的底电极修饰
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
机译:具有P-Algan半导体底电极的基于AL2O3的电阻开关存储器件中观察到的自整流电阻切换行为
机译:由NiO纳米点和石墨烯纳米带纳米隙电极组成的纳米级电阻开关存储器件
机译:具有三角形硅纳米线底部电极的柔性电阻开关器件的存储特性
机译:带有W和Au对电极的Cu / SiC电阻存储器的开关机制
机译:电阻式切换存储器和可重配置设备。
机译:自底向上的有序金属/氧化物/金属纳米点在基板上的合成用于纳米级电阻式开关存储器
机译:内存设备:在栅极控制双层石墨烯 - 电极电阻存储器件中的开关窗口的原位调整(ADV。Mater。47/2015)