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机译:交流电源电压变化下静态随机存取存储单元的错误操作
Graduate School of System Informatics, Kobe University, Kobe 657-8501, Japan;
Renesas Electronics Corporation, Kodaira, Tokyo 187-8588, Japan;
Renesas Electronics Corporation, Kodaira, Tokyo 187-8588, Japan;
Graduate School of System Informatics, Kobe University, Kobe 657-8501, Japan;
机译:基于Sub-1-V-60nm垂直体沟道MOSFET的六晶体管静态随机存取存储阵列,具有宽的噪声容限和出色的功率延迟乘积,并且通过静态随机存取存储单元的单元比对其进行了优化
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机译:在低电压和高I
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