机译:p型和n型4H-SiC外延层载流子寿命测量中的衰减曲线分析
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;
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机译:载流子寿命长的n型4H-SiC外延层中的载流子复合
机译:延长寿命的4H-SiC外延层的微波光电导衰减和开路电压衰减寿命测量技术的比较
机译:通过故意掺杂钒来大范围控制n型4H-SiC外延层中的载流子寿命
机译:离子植入和高温AR退火对N型4H-SiC脱落载体寿命的影响
机译:基于4h-sic n型外延层和cdznte的紧凑型高分辨率辐射探测器的制造与表征。
机译:离子载流子掺杂的p型和n型凝胶的合成
机译:n型4H-siC外延层的长载流子寿命
机译:n( - )4H-siC外延层中的载流子寿命测量。