机译:4H-和6H-SiC的光吸收系数从室温到300℃的温度依赖性
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan,Photonics and Electronics Science and Engineering Center (PESEC), Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;
机译:光学检测的4H-和3C-SiC中载流子寿命和扩散系数的温度依赖性
机译:从300 K的扩散系数预测五种氦-氟甲烷系统的极限扩散系数的温度依赖性以及在同一温度和零压力下的极限热扩散因子
机译:4H-和6H-SiC的折射率与温度的关系
机译:用光学方法检测4H-和3C-SiC中载流子寿命和扩散系数的温度依赖性
机译:高温下对碱金属蒸气的光吸收
机译:使用第二病毒系数的温度依赖性为蛋白质结晶筛选选择温度
机译:微晶硅的光吸收系数的温度依赖性
机译:二氧化碳氟甲烷(CF2Cl2)吸收系数对CO2波导激光辐射的温度和压力依赖性