机译:小型p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的负偏置温度不稳定性与随机电报噪声之间关系的统计分析
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan,Doctoral Program in Nano-Science and Nano-Technology, Graduate School of Pure and Applied Sciences,University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8571, Japan;
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan;
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan;
Doctoral Program in Nano-Science and Nano-Technology, Graduate School of Pure and Applied Sciences,University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8571, Japan;
Doctoral Program in Nano-Science and Nano-Technology, Graduate School of Pure and Applied Sciences,University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8571, Japan;
机译:表征p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中动态负偏压温度不稳定性的可恢复成分的新仿真方法
机译:HfO
机译:HfO_2 /金属栅极p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的负偏置温度不稳定后栅极电流异常驼峰的研究
机译:随机电报信号与负偏置温度不稳定性的关系分析
机译:先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:大偏压对具有超薄栅极电介质P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响