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机译:等离子体振荡器在65 nm体积内以及绝缘体上完全耗尽的硅导致的环形振荡器的初始和长期频率下降
Kyoto Inst Technol, Grad Sch Sci & Technol, Dept Elect, Kyoto 6068585, Japan.;
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机译:采用28 nm完全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)技术的2.45 GHz 0.8 mW压控环形振荡器(VCRO)
机译:采用28 nm完全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)技术的2.45 GHz 0.8 mW压控环形振荡器(VCRO)
机译:在65nm CMOS技术上使用环形振荡器的初始波形实现物理上不可克隆的功能
机译:压控环形振荡器的降级和温度分析,可在65nm批量CMOS工艺中实现稳健可靠的振荡器设计
机译:65 nm rad-Hard环和LC罐控制振荡器进行SPACEFIBRE应用的分析与比较
机译:使用环的初始波形的物理不可克隆功能 采用65 nm CmOs技术的振荡器