...
机译:在65nm CMOS技术上使用环形振荡器的初始波形实现物理上不可克隆的功能
Toshiba Co Ltd, Corp R&D Ctr, Kawasaki, Kanagawa 2128582, Japan;
Toshiba Co Ltd, Corp R&D Ctr, Kawasaki, Kanagawa 2128582, Japan;
Toshiba Co Ltd, Storage & Elect Devices Solut Co, Kawasaki, Kanagawa 2128520, Japan;
Toshiba Co Ltd, Storage & Elect Devices Solut Co, Kawasaki, Kanagawa 2128520, Japan;
Toshiba Co Ltd, Corp R&D Ctr, Kawasaki, Kanagawa 2128582, Japan;
Toshiba Co Ltd, Corp R&D Ctr, Kawasaki, Kanagawa 2128582, Japan;
Toshiba Co Ltd, Corp R&D Ctr, Kawasaki, Kanagawa 2128582, Japan;
Toshiba Co Ltd, Corp R&D Ctr, Kawasaki, Kanagawa 2128582, Japan;
机译:用于65nm CMOS技术的高频功率优化的环形电压控制振荡器-综述
机译:在现场可编程门阵列上的环形振荡器的物理不可渗透功能的设计与实现,以增强电子安全
机译:基于环形振荡器的实地可编程门阵列的设计与实现,以增强电子安全
机译:设计物理上不可克隆的功能时环形振荡器波形质量的电容效应
机译:基于组的环形振荡器的物理不可克隆功能。
机译:使用商业0.18μmCMOS工艺制造的带有环形振荡器电路的丙酮微传感器
机译:使用环的初始波形的物理不可克隆功能 采用65 nm CmOs技术的振荡器