机译:β-Ga2O3肖特基势垒二极管中的晶体缺陷与泄漏电流之间的关系
Saga Univ, Dept Elect & Elect Engn, Saga 8408502, Japan;
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Tamura Co Ltd, Sayama, Saitama 3501328, Japan;
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Kanazawa Inst Technol, Grad Sch Engn, Minato Ku, Tokyo 1050002, Japan;
机译:多晶缺陷 - 漏电流卤化物卤化物阶段外延(001)β-GA_2O_3肖特基势垒二极管通过超高敏感发射显微镜和同步X射线形貌鉴定
机译:通过蚀刻坑法观察到的晶体缺陷及其对((2)over-bar01)β-Ga2O3上的肖特基势垒二极管特性的影响
机译:在具有晶体缺陷的(001)β-Ga2O3衬底上制造的肖特基势垒二极管的电性能
机译:SiC肖特基势垒二极管中与缺陷相关的漏电流分量
机译:薄纳米晶金刚石基肖特基势垒二极管和其他两个端子结构的电性能。
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:晶体各向异性对垂直(-201)和(010)β-Ga2O3的影响 EFG单晶衬底上的肖特基势垒二极管