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机译:漏极偏压对双栅隧道场效应晶体管统计变化的影响
Sogang Univ, Dept Elect Engn, Seoul 04107, South Korea;
机译:基于非对称双栅Ge / GaAs-异质结隧穿场效应晶体管的无电容器单晶体管动态随机存取存储器,具有n掺杂的升压层和漏极-下覆结构
机译:直接源极到漏极隧穿和体厚变化对(100)和(110)Sub-10-nm Si双栅晶体管的影响
机译:考虑漏极偏置的全耗尽纳米掺杂双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压建模
机译:有机场效应晶体管上方的接近阈值耗尽电流紧凑型模型,其提供单调的输出电导减小,随着漏极偏置而增加
机译:硅化铂源漏场效应晶体管的物理技术
机译:双门等腰梯形隧道场效应晶体管(DGIT-TFET)的设计优化
机译:具有INAS源的新型双栅极隧道场效应晶体管研究
机译:大漏极电压下结型场效应晶体管的场分布。