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机译:剂量和尺寸对碳簇注入硅片缺陷工程的影响
SUMCO Corp, Saga 8494256, Japan;
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机译:外延层对CMOS图像传感器的外延层对碳簇离子植入硅晶片的室温键合
机译:用于CMOS图像传感器的C3H5碳簇离子注入硅晶片的近乎吸杂:过渡金属,氧和氢杂质的吸杂效应(第55卷,121301,2016)
机译:切克劳斯基硅片中碳团离子注入投影范围内氢的俘获和扩散动力学
机译:高剂量碳离子植入硅的β-SiC的TEM表征
机译:离子注入的硼在硅中的扩散:晶格缺陷和共注入杂质的影响。
机译:CMOS图像传感器的暗电流光谱法对碳氢化合物分子离子注入的硅晶片进行吸杂设计
机译:使用商业级低寿命硅晶片制备的P型硅杂交太阳能电池的缺陷工程
机译:离子注入过程中硅的电荷态缺陷工程