...
机译:切克劳斯基硅片中碳团离子注入投影范围内氢的俘获和扩散动力学
SUMCO Corp, Imari, Saga 8494256, Japan;
SUMCO Corp, Imari, Saga 8494256, Japan;
SUMCO Corp, Imari, Saga 8494256, Japan;
SUMCO Corp, Imari, Saga 8494256, Japan;
SUMCO Corp, Imari, Saga 8494256, Japan;
SUMCO Corp, Imari, Saga 8494256, Japan;
SUMCO Corp, Imari, Saga 8494256, Japan;
机译:H型离子注入能量在MeV范围内对N型硅晶片中电子传输性能的H〜+离子注入能量依赖性
机译:氢在注入CMOS图像传感器的CH_3O分子离子硅片中的扩散动力学
机译:外延层重掺砷或掺硼的切克劳斯基硅片中的高温间隙氧扩散延迟
机译:P型直拉硅在350和450℃温度下氢增强热供体的形成表征氢的扩散
机译:6氢碳化硅和4氢碳化硅中本征和离子注入引起的缺陷的电学和光学表征。
机译:晶体硅薄膜太阳能电池中用于高级光阱的倒置纳米金字塔阵列的晶圆级集成。
机译:在模拟的4兆位动态随机存取存储过程中,进行各种本征和磷扩散吸杂处理对直拉硅晶片表面质量的影响