不揮発性メモリ用Ge-Cu-Te系相変化材料の研究

摘要

次世代不揮発性メモリとして，PCRAM (Phase Change Random Access Memory)と呼ばれる相変化型メモリが注目されている.PCRAMには，アモルファス相⇔結晶相の可逆変化が可能な相変化材料（PCM)が用いられる.通常，PCMのアモルファス相の電気抵抗は高く，結晶相は低い.PCRAMでは，この両相間の電気抵抗差を利用しデータを記録する.図1(a)にメモリセルの模式図を示す.上部と下部に電極が存在し，下部電極とPCMの間には効率的にジュール加熱を行うためにヒーターが設けられており，相変化領域（プログラム領域）はドーム状に形成される.