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机译:纳米线谐振隧穿器件的峰值电压和电流建模:InAs / InP双势垒异质结构的案例研究
Electrical and Computer Engineering Department, University of Sao Paulo, EESC/USP, Sao Carlos, SP, Brazil;
Electrical and Computer Engineering Department, University of Sao Paulo, EESC/USP, Sao Carlos, SP, Brazil;
Electrical and Computer Engineering Department, University of Sao Paulo, EESC/USP, Sao Carlos, SP, Brazil;
nanowire; transistor; resonant tunneling; nanoelectronics;
机译:异质结构设计对AlxGa1-xN / GaN双势垒谐振隧穿二极管电流-电压特性的影响
机译:异质结构设计对Al_xGa_(1-x)N / GaN双势垒谐振隧穿二极管电流-电压特性的影响
机译:纳米电子器件-通过分子束外延在InP衬底上生长的共振隧穿二极管,室温下峰谷比为17
机译:超高电流密度,低峰值电压,伪晶型In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / AlAs / InAs谐振隧道二极管
机译:模拟许多谷电子散射对谐振隧穿二极管的电流-电压特性的影响。
机译:单个InP / InAs异质结构纳米线在室温下的电信频段激光发射
机译:纳米电子器件-通过分子束外延在InP衬底上生长的共振隧穿二极管,室温下峰谷比为17
机译:偏置电路不稳定性及其对直流电压的影响双势垒谐振隧穿二极管的电流 - 电压特性