机译:(DMG-GC-stack)围栅MOSFET的分析V_(TH)和S模型
Laboratoire de Physique de la Matiere et Nanostructures, Equipe Microelectronique, Automatique et Instrumentation, Faculte des Sciences et Techniques, Universite Sultan Moulay Slimane, BP 523 Beni Mellal, Morocco;
Laboratoire de Physique de la Matiere et Nanostructures, Equipe Microelectronique, Automatique et Instrumentation, Faculte des Sciences et Techniques, Universite Sultan Moulay Slimane, BP 523 Beni Mellal, Morocco;
Laboratoire de Physique de la Matiere et Nanostructures, Equipe Microelectronique, Automatique et Instrumentation, Faculte des Sciences et Techniques, Universite Sultan Moulay Slimane, BP 523 Beni Mellal, Morocco;
surrounding-gate MOSFET; dual-material gate; graded channel; gate stack; short-channel effects;
机译:分析漏电流模型再现了纳米级圆柱形环绕栅(SRG)MOSFET中的高级传输模型
机译:包括有效电荷路径效应(ECPE)的分析阈值电压模型,用于带局部电荷的环绕栅MOSFET(SGMOSFET)
机译:围栅MOSFET中量化效应的分析模型
机译:围绕栅极MOSFET的双材料栅极渐变沟道栅堆叠(DMG-GC-Stack):分析阈值电压(V
机译:双栅极MOSFET中短沟道效应的分析模型。
机译:更正:使用解析肖特基势垒MOSFET模型分析黑磷晶体管
机译:基于表面电位的圆柱形围栅mOsFET模型
机译:强反型mOsFET的简单分析模型