基于SPICE模型的SiC MOSFET静动态特性分析

摘要

基于Cree官网提供的C2M系列SPICE模型,本文对SiC MOSFET静动态特性进行了深入分析.分析结果表明该模型在工作结温较低时,与datasheet提供的静态特性曲线较吻合,但工作结温较高时对SiC MOSFET静态特性的模拟效果较差,于是在该模型基础上增加了一个温控电压源,以补偿工作结温上升带来的影响.之后,通过进行双脉冲测试,对比分析了该模型对SiC MOSFET动态特性的模拟效果.经过上述静、动特性的分析,发现该模型可较为准确地反映低结温时器件的真实工作特性,增加温控电压源后也适用于高结温工作状态.