...
机译:1MHz 130nm CMOS单片时钟振荡器中的过程,电压和温度补偿,精度为2.3%
S China Univ Technol, Sch Elect & Informat Engn, Guangzhou 510640, Guangdong, Peoples R China;
S China Univ Technol, Sch Elect & Informat Engn, Guangzhou 510640, Guangdong, Peoples R China;
clock generator; clock oscillator; FVC; carrier mobility; voltage compensation; temperature compensation; process compensation;
机译:7MHz CMOS时钟振荡器中的过程和温度补偿
机译:用于时钟发生器的经过过程和温度补偿的CMOS压控振荡器
机译:具有集成正交电压控制振荡器和RF放大器的1.2V低功耗全频带低功耗UWB发射器,采用130NM CMOS技术
机译:具有温度和电源电压补偿的6MHz CMOS参考时钟发生器
机译:温度补偿的CMOS和MEMS-CMOS振荡器,用于时钟发生器和频率基准。
机译:使用曲率补偿振荡器的线性化时域CMOS智能温度传感器
机译:7 mHz CmOs时钟振荡器中的工艺和温度补偿