机译:7MHz CMOS时钟振荡器中的过程和温度补偿
机译:1MHz 130nm CMOS单片时钟振荡器中的过程,电压和温度补偿,精度为2.3%
机译:用于时钟发生器的经过过程和温度补偿的CMOS压控振荡器
机译:7-MHz工艺,温度和供应补偿时钟振荡器在0.25μmCMOS中
机译:温度补偿的CMOS和MEMS-CMOS振荡器,用于时钟发生器和频率基准。
机译:使用曲率补偿振荡器的线性化时域CMOS智能温度传感器
机译:数字CmOs工艺中使用环形振荡器VCO和LC振荡器产生时钟的pLL性能比较
机译:用于HI-G应用的精密CmOs时钟振荡器