机译:精确提取纳米级VLSI中任意掺杂轮廓的衬底参数的无损方法
Department of Electrical and Computer Engineering, Aristotle University of Thessaloniki , Thessaloniki, Greece;
Conductivity measurement; electric variables measurement; electromagnetic analysis; geometric modeling; integrated circuit doping; resistance measurement; very large scale integration (VLSI);
机译:采用有效基板电压法用任意漂移掺杂谱的SOI LDMOS的分析击穿模型
机译:任意掺杂轮廓的衬底电阻提取的有效直接边界元方法
机译:提取实验纳米级短通道SOI MOSFET重要物理参数的精确紧凑模型
机译:一种新的边界元方法,可对任意掺杂轮廓的有损衬底进行精确建模
机译:具有强大寄生耦合的VICE电路的高效时域仿真的SPICE精确迭代方法。
机译:在任意衬底上大规模制造有机单晶器件的高产量两步转移印刷方法
机译:采用有效基板电压法用任意漂移掺杂谱的SOI LDMOS的分析击穿模型
机译:高效准确估算重掺杂衬底中衬底噪声耦合的方法