机译:〜1 MeV /核离子注入硅中的缺陷形成
Polotsk State University, ul. Blokhina 29, Novopolotsk, 211440 Belarus;
Polotsk State University, ul. Blokhina 29, Novopolotsk, 211440 Belarus;
Belarussian State University, pr. Nezavisimosti 4, Minsk 220030, Belarus;
Belarussian State University, pr. Nezavisimosti 4, Minsk 220030, Belarus;
Belarussian State University, pr. Nezavisimosti 4, Minsk 220030, Belarus;
机译:单晶MeV硅离子注入过程中空位簇相关缺陷的产生
机译:离子植入硅探测器中的重离子在0.25〜2.5 MeV / u的能量范围内 Z i> = 6-28的脉冲高度缺陷
机译:硅二极管反向电阻恢复的动力学:250MeV rypto注入形成的冶金p〜+ n〜结缺陷层的距离的作用
机译:使用三维正电子湮灭光谱系统测量的24-MeV O〜(3+)离子(3D通道)植入6h碳化硅缺陷氧气缺陷
机译:离子注入的硼在硅中的扩散:晶格缺陷和共注入杂质的影响。
机译:乳房植入手术后的罕见并发症:硅胶植入物重建乳房后与皮肤硅胶瘘管的囊膜挛缩。
机译:1-MeV硅离子注入的硅中的{111}缺陷。
机译:l brace 311(r brace)离子注入硅中的缺陷:瞬态扩散的原因,以及形成位错的机制