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机译:热处理时间和位错密度对半绝缘砷化镓晶体输运性能的影响
heaty treatment duration; dislocation density; gallium arsenide crystals;
机译:热处理时间和位错密度对半绝缘砷化镓晶体输运性能的影响
机译:热处理时间和位错密度对半绝缘砷化镓晶体输运性能的影响
机译:热处理时间和位错密度对半绝缘砷化镓晶体输运性能的影响
机译:半绝缘砷化镓非常大的晶体的生长和性能
机译:太赫兹脉冲产生过程中低温砷化镓和半绝缘砷化镓的衬底条件比较
机译:在半绝缘砷化镓上通过喷涂技术沉积的基于碳纳米管的光电探测器
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:60 Kev锌离子注入半绝缘砷化镓的电学特性