机译:GaN HEMT导通过电压建模和抑制的归一化定量方法
College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China;
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Gallium nitride; HEMTs; Voltage control; Inductance; Switches; Logic gates; Resistance;
机译:预测常压GaN Hemts在常压下的开启过冲的分析模型
机译:GaN Hemts的快速小信号建模方法
机译:GaN HEMT开关的小信号建模与新的固有元素提取方法
机译:一种改进的方法来估算650V GaN HEMTS在硬开关拓扑中的开关损耗
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:LEMming:一种线性误差模型用于标准化并行定量实时PCR(qPCR)数据以替代基于参考基因的方法
机译:LEmming:一种线性误差模型,用于归一化并行定量实时pCR(qpCR)数据,作为基于参考基因的方法的替代方法。