Gallium nitride; MODFETs; HEMTs; Switching loss; Capacitors; Logic gates; Estimation;
机译:AlGaN / GaN Hemts在硬质切换过程中的热电子和自热的影响
机译:快速系统测量晶圆600V的动态导通电阻,通常在硬开关应用条件下熄灭GaN Hemts
机译:考虑动态导通态电阻的GaN基硬度切换半桥的功率损耗表征及建模
机译:硬开关半桥配置中的高压GaN HEMT的多变量导通/关断开关损耗定标方法
机译:硬开关和软开关两开关反激式PWM DC-DC转换器以及高频变压器中由于谐波引起的绕组损耗。
机译:Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT(金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管)的陡峭开关
机译:考虑动态导通态电阻的GaN基硬度切换半桥的功率损耗表征及建模