В статье предложен способ параметрического моделирования цифровых изображений, подобных цифровым изображениям слоев металлизации кристаллов специализированных интегральных микросхем на базовом матричном кристалле. Предлагаемый способ моделирования учитывает особенности процесса и канала получения изображений слоев металлизации кристаллов микросхем в процессе обратного проектирования, а также особенности пространственного положения переходных отверстий. Представлен моделирующий алгоритм, разработанный на основе предлагаемой модели.
展开▼