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二氧化硅上的铝金属化层失效模式分析

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摘要

主要从SiO2的质量、铝金属化质量、电应力和热应力等诸多因素出发分析SiO2表面上铝金属化层的失效模式.

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来源
《电子元器件应用》 |2003年第4期|52-53|共2页
作者
吴生虎;
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作者单位

航天工业总公司半导体器件失效分析中心,陕西,西安,710054;

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正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
二氧化硅; 金属化; 失效模式;

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