机译:应变Si / SiGe异质层上的超薄高k栅极介电膜
Department of Electronic Engineering, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong;
high-k dielectric; defects; breakdown; reliability; strained-Si;
机译:应变Si / SiGe异质层上的栅极电介质
机译:应变硅上超薄高k(ZrO_2)栅极电介质的高频特性和连续谱建模
机译:用于下一代金属绝缘体 - 半导体器件的超薄烃膜的新型高k栅极介电性能
机译:高k门电介质中应变Si通道NMOSFET栅极漏电流的建模与数值模拟
机译:纳米晶体嵌入锆掺杂的氧化ha高k栅极介电膜。
机译:在硅晶片上合成的用于栅极电介质应用的新型高k碳氢化合物薄膜的原子力显微镜数据
机译:用于高k栅极电介质的pr-硅酸盐超薄膜用金属有机化学气相沉积法制备