机译:应变Si / SiGe异质层上的栅极电介质
Department of Electronics and ECE, IIT Kharagpur 721302, India;
strained-Si; oxidation; high-k gate dielectric; microwave plasma;
机译:应变Si / SiGe异质层上的超薄高k栅极介电膜
机译:内部光发射研究应变Si / SiGe异质层上快速热氧化物中的电荷俘获行为
机译:应变硅和应变硅锗层上的HfO_2栅极电介质
机译:温度对带有多晶硅栅极的应变Si / SiGe MOSFET的阈值电压和亚阈值斜率的影响
机译:在Si / Sige的基于谷轨道Qubits的重叠铝栅量子点
机译:高κ氧化物纳米带作为高迁移率顶栅石墨烯晶体管的栅极电介质
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。