...
首页> 外文期刊>電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス >表面活性化ダイレクトボンディングを用いた半漏れ型光アイソレータの製作
【24h】

表面活性化ダイレクトボンディングを用いた半漏れ型光アイソレータの製作

机译:使用表面活化直接键合制造半漏型光隔离器

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

磁気光学結晶Ce:YIGにLiNbO_3クラッド層を表面活性化ダイレクトボンディングで接合し,導 波TEモードと放射TMモード間に生ずる磁気光学効果による非相反モード変換とLiNbO_3による相反モード 変換を利用して半漏れ型光アイソレ一夕を試作した.長さ1.6mmの試作デバイスで,波長1.55μmにおいてア イソレーション比20.2dBが得られた.
机译:通过表面活化直接键合将LiNbO_3包覆层结合到磁光晶体Ce:YIG上,并利用在导引的TE模式和辐射TM模式之间产生的磁光效应进行非互惠模式转换,以及通过LiNbO_3进行互惠模式转换,以实现半互惠模式转换。对泄漏的光隔离器进行了原型设计,使用长度为1.6 mm的原型设备,在波长为1.55μm时,隔离比为20.2 dB。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号