SRAMの宇宙線中性子によるマルチエラー解析及びマルチエラー低減技術

摘要

宇宙線中性子によるソフトエラーの解析と対策技術について論じた．まず，マルチセルエラーについて検討・解析を行うために回路とデバイスシミュレーションを組み合わせた新たな解析手法を提案した．この解析手法を用いて，宇宙線中性子の入射したLSIでは，寄生バイポーラ素子がオンし，隣接セルがフェイルするマルチセルエラーのメカニズムを明らかにした．また，本検討に基づいて，横長SRAMセルを用いた場合に，宇宙線中性子起因のマルチセルエラーをエラー訂正回路で高効率にエラー訂正が可能な交互エラー訂正方式を提案した．0.13μm CMOSプロセスにより16MbitのSRAMを試作した結果，SERを99.5％低減することに成功した．