鉛フリーめっき端子部のウイスカ要因と発生形態

摘要

鉛（Pb）フリースズ（Sn）めっきから発生するSnウイスカの成長要因を把握するため，常温放置rnにおけるめっき内部応力の変化及び発生したSnウイスカの根元の組織観察を行った．その結果，ウイスカの成長とともにめっき内部応力が低下しており，ウイスカ発生部の組織は周囲の結晶粒に比べて粗大化していることから，Snウイスカは根元のSnの再結晶によって成長していることを明らかとした．更に，Snめっきからウイスカを発生するまでの時間は化合物の成長などめっき内部応力を蓄積する時間とSmの再結晶の潜伏期間と相関性があり，この時間が長いめっき皮膜ほど危険な針状ウイスカを発生しやすい傾向が得られた．