低誘電率（Low－κ）熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価

摘要

次世代LSI層間絶縁膜として期待されているLow－た薄膜材料を，陽極化成により多孔質化した陽極化成Siを熱酸化することで作製した．試料ほ，低抵抗n塾Si単結晶を原材料として，陽極化成電流密度の変化で多孔度を変えた陽極化成Siを作製し，それを1000℃の酸素ガス中で熱酸化を行うことで作製した，試料の誘電率は，5×10~2～5×10~6Hzの周波数の範囲で変化は見られない，また，電流密度100mA／cm~2で作製した多孔度73％の陽極化成Siを酸化した試料の誘電率は，κ＝3．0の値が得られた．